在罗杰斯（Rogers）高频板材的定制选型中，工程师面对的是一个型号繁多、参数各异的“材料家族”。RO4000系列、RO3000系列、RT/duroid系列、RO3200系列、TMM系列、CLTE系列——每个系列都有其独特的材料体系、电气参数和加工特性。

了解每个型号的材料特点与生产工艺，是做出正确选型决策的前提。本文逐一展示罗杰斯主力型号的材料特点与生产工艺，帮助您建立系统化的选型认知。

一、RO4000系列：FR-4工艺兼容的行业主力

RO4000系列是罗杰斯销量最大的高频材料家族，属于玻璃纤维增强碳氢化合物/陶瓷填充层压板（非PTFE体系）。该系列最大特点是加工工艺与标准FR-4高度兼容，无需PTFE材料所需的特殊通孔处理。

RO4350B

材料特点

Dk（工艺值）：3.48 ± 0.05 @10GHz，设计值3.66

Df：0.0037 @10GHz（2.5GHz时为0.0031）

Z轴CTE：32 ppm/°C，RO4000系列中最低

热导率：0.69 W/m·K，约为FR-4的两倍

Tg：>280°C

UL 94 V-0阻燃等级，适用于有源器件和高功率射频设计

RO4350B的Dk公差严格控制在±0.05，在宽频率范围内介电常数相当稳定，介电常数随温度波动性几乎是同类材料中最低的。

生产工艺

图形转移：采用LDI激光直接成像设备，线宽公差控制在±0.005mm级别

钻孔：可使用标准硬质合金钻头（ST型），无需等离子或钠萘处理。推荐表面速度300-500 SFM，切屑负荷0.002"-0.004"/rev，刀具寿命2000-3000击

层压：与FR-4工艺兼容，混压时使用RO4450F等配套半固化片，压合前内层芯板需在110-125°C烘烤至少30分钟

孔金属化：兼容标准化学沉铜工艺，无需特殊前处理

表面处理：常采用沉金（ENIG）工艺

RO4003C

材料特点

Dk（工艺值）：3.38 ± 0.05 @10GHz，设计值3.55

Df：0.0027 @10GHz，比RO4350B低约27%

Z轴CTE：46 ppm/°C

热导率：0.71 W/m·K

剥离强度：1.05 N/mm（1oz ED铜箔），高于RO4350B的0.88 N/mm

UL94阻燃等级：非FR——不满足V-0阻燃要求

生产工艺

与RO4350B相同的LDI曝光与酸性蚀刻工艺，剥离强度略高，精细线路蚀刻时边缘质量更优

钻孔：兼容标准FR-4钻孔工艺，孔壁粗糙度通常维持在8-25μm，且不随钻头磨损而显著增加（评估至8000击）

层压与混压：射频信号层使用RO4003C芯板，数字与电源层使用FR-4芯板，层间粘结选用RO4450F半固化片

RO4835

材料特点

Dk=3.48±0.05，Df=0.0037@10GHz，与RO4350B相同

抗氧化性能：相比标准热固性材料提升约10倍

Tg：>280°C，Td（分解温度）390°C

UL 94 V-0阻燃等级

生产工艺

与RO4350B共享同一热固性树脂体系，可使用标准硬质合金钻头

关键差异：树脂流动量比RO4350B少约5-8%，混压时需略高的温度或更长的压合时间

二、RO3000系列：毫米波频段的PTFE基材料

RO3000系列是基于陶瓷填充PTFE复合材料的高频层压板家族，不同介电常数型号保持一致的机械性能，方便设计者在多层电路中使用不同Dk的材料而不会出现翘曲或可靠性问题。

RO3003

材料特点

Dk（工艺值）：3.00 ± 0.04 @10GHz，设计值3.00

Df：0.0010 @10GHz，极低损耗

TCDk：-3 ppm/°C（-50°C至150°C），几乎不随温度变化

X/Y轴CTE：17/16 ppm/°C，与铜箔匹配

Z轴CTE：24 ppm/°C

吸水率：0.04%

UL 94 V-0阻燃等级

RO3003最独特的技术特性在于消除了常规PTFE在19°C附近的介电常数阶跃变化，在-50°C至150°C范围内Dk保持高度稳定。

生产工艺

钻孔（核心难点） ：属于含陶瓷填料的PTFE材料，钻头磨损严重。需使用全新钻头，采用高转速、低进给策略，多层板通常采用一块一叠钻孔

孔壁准备（关键工序） ：PTFE材料表面能极低，必须进行等离子处理或钠萘处理，使化学铜能够可靠附着

层压：压合前需在125°C至150°C进行预烘烤

表面处理：兼容沉金/沉银/OSP，蚀刻后不推荐机械磨板/刷板

RO3003G2

材料特点

Dk：3.00 ± 0.04 @10GHz，77GHz下微带线差分相位法测得3.07

Df：0.0011 @10GHz

77GHz插入损耗：仅1.3 dB/inch（5mil厚度）

TCDk：-35 ppm/°C

采用极低铜箔表面粗糙度的VLP ED铜箔和特殊填料

RO3003G2是RO3003的延伸加强版，专为下一代毫米波汽车雷达应用设计。

RO3006 / RO3010 / RO3035

生产工艺：RO3006/RO3010/RO3035的加工工艺与RO3003完全一致，同属RO3000系列，均采用标准PTFE电路板加工工艺。由于Dk更高，陶瓷填料含量更高，钻孔时对钻头磨损更为严重。

三、RT/duroid系列：极致低损耗的PTFE材料

RT/duroid系列是罗杰斯基于PTFE复合材料的高端高频层压板家族，在毫米波和极端环境中提供无可替代的电气性能。

RT/duroid 5880

材料特点

Dk（工艺值）：2.20 ± 0.02 @10GHz，罗杰斯全系列中最低

Df：0.0009 @10GHz，罗杰斯全系列中Df最低

吸水率：0.02%，极低吸湿率

UL 94 V-0阻燃等级

采用随机取向的玻璃微纤维增强PTFE复合材料，介电常数具有良好的一致性

RT/duroid 5880的低耗散因子使其应用扩展至Ku波段及以上频段。

生产工艺

钻孔：采用全新或专门打磨过的钻刀，更高的转速和较低的进刀速。推荐切屑负荷0.001"-0.003"/rev，表面速度150-300 SFM。使用酚醛复合板作为盖板（0.010"-0.030"）和垫板（>0.060"）

孔金属化（关键工序） ：表面能极低，必须进行钠萘化学蚀刻法或等离子体处理

层压：压力不宜过高，防止介质被过度挤压导致Dk变化。层压前在120~150°C烘烤30~120分钟

蚀刻与表面处理：采用碱性蚀刻液，常用化学沉镍金（ENIG）或电镀镍金

RT/duroid 6202

材料特点

陶瓷填充编织玻璃布增强PTFE复合材料

Dk约2.94~3.06，Df约0.0012@10GHz

极佳的尺寸稳定性（0.05%）

特别适合平面电阻应用和复杂多层电路

生产工艺

与RT/duroid 6000系列基本一致

因编织玻璃布增强结构，机械加工性能略优于纯PTFE材料

层压前内层需在120-150°C烘烤30-120分钟

RT/duroid 6035HTC

材料特点

Dk：3.50 ± 0.05 @10GHz

Df：0.0013 @10GHz

热导率：1.44 W/m·K @80°C，是标准RT/duroid产品的2.4倍

Z轴CTE：19 ppm/°C

专为大功率射频微波应用设计

生产工艺

推荐钻孔参数：表面速度150~300 SFM，Chip Load 0.001~0.003英寸/转

多层板钻孔时建议使用压制酚醛复合板作为盖板（0.010~0.030英寸厚）和垫板（>0.060英寸）

由于Z轴CTE较低，孔铜在温度循环中的可靠性优于标准PTFE材料

四、RO3200系列：玻璃布增强的PTFE材料

RO3200系列是RO3000系列的玻璃布增强版，显著提高了机械稳定性。该系列结合了非玻璃布PTFE表面平整特点与玻璃布PTFE层压板的硬度特点，实现了更好的线性蚀刻容差。

RO3203 / RO3206 / RO3210

RO3200系列三个型号保持相同的机械性能，设计师可以在同一多层板中混合使用不同Dk的材料而无需担心翘曲或CTE失配问题。

生产工艺

加工工艺与RO3000系列基本一致，均采用标准PTFE电路板加工工艺

钻孔：使用刚性支撑的盖板和垫板（如压制酚醛板），使用全新钻头

孔壁准备（关键工序） ：PTFE材料必须进行钠处理或等离子处理

层压：压合前必须在125°C至150°C进行预烘烤

外形加工：采用铣削和冲压，机械加工需要材料支撑和锋利刀具

五、TMM系列：热固性陶瓷材料体系

TMM系列是罗杰斯基于陶瓷填充热固性高分子聚合物体系开发的微波层压板，Dk覆盖3.27至12.85的宽范围。

TMM 3 / TMM 4 / TMM 6 / TMM 10 / TMM 10i / TMM 13i

TMM系列最突出的技术特征是其极低的热膨胀系数和介电常数温度系数——所有常用PWB工艺都能用于加工TMM热固型微波材料。TCDk覆盖正负值，设计师可通过混合使用不同型号实现温度补偿。

生产工艺

孔壁准备（最大优势） ：在电镀前不需要对孔壁进行特殊处理——与PTFE材料必须经过钠萘或等离子活化不同，TMM的化学沉铜工艺可直接进行

钻孔：陶瓷填料对钻头具有磨蚀性，推荐表面速度200-400 SFM，切屑负荷0.003"-0.005"/转。定位孔必须钻孔加工，绝不可以使用冲压

层压：兼容CuClad 6250/6700、FEP薄膜和FR-4半固化片等多种粘结片系统

外层线路：可采用传统SES（退膜-蚀刻-退膜）工艺，推荐使用铣削作为最终成型方法

六、CLTE系列：低热膨胀陶瓷填充PTFE

CLTE系列是罗杰斯基于陶瓷填充PTFE的复合电路材料系列，专门为相控阵雷达和精密相位控制系统设计。

CLTE-XT / CLTE-MW

CLTE-XT的X/Y轴CTE仅8 ppm/°C，这意味着在温度变化时材料的尺寸几乎不变——这是复杂多层板实现精确层间对准的关键。CLTE-MW采用开纤玻璃布技术，将高频玻纤效应对电磁波传播的影响减小到最低。

生产工艺

内层准备：采用化学处理，标准干膜和液态光刻胶工艺

层压：压合前必须进行125°C至150°C预烘烤，兼容大多数热塑性和热固性薄膜粘结片系统

钻孔：使用全新钻头，采用刚性支撑的盖板和垫板（如压制酚醛板）。控制进给速度、转速和退刀速率。不推荐机械去毛刺/磨板

孔壁准备（关键工序） ：CLTE系列属于PTFE体系，在金属沉积前必须进行钠处理或等离子处理

外形加工：采用铣削和冲压，CLTE系列产品更适合对边缘质量有高要求的应用

七、各系列加工工艺对比总览

作为专业的高频板定制厂家，鑫成尔电子常备罗杰斯RO4000、RO3000、RT/duroid、RO3200、TMM、CLTE等全系列型号板材，配备真空等离子处理系统、高精度控深钻孔设备和VNA矢量网络分析仪，支持从材料选型到精密加工的全流程服务。