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F4BME245 4层高频线路板
材质 F4B 层数 4
铜厚 1oz 板厚 1.0mm
最小孔径 >0.3mm 最小线距 >4mil
最小线宽 >4mil 表面处理 OSP

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产品简介 / Introduction

F4BME245 四层高频线路板

产品概述

F4BME245 是旺灵(WanglingF4BME 系列中的一款PTFE(聚四氟乙烯)玻璃布覆铜箔高频板。型号中的“245”代表其介电常数(Dk)约为 2.45


该材料采用玻璃布、PTFE 树脂与 PTFE 薄膜经科学配制和严格工艺压制而成。其电气性能比 F4B 系列显著提升,介电常数范围更宽,介质损耗更低,绝缘电阻更高,性能更稳定,可替代同类进口产品。


F4BME245 区别于 F4BM 系列的核心在于其铜箔:F4BME 系列采用反转处理铜箔(RTFReverse Treated Foil),而 F4BM 系列使用 ED 铜箔。这一关键差异赋予了 F4BME245 优异的 PIM(无源互调)性能。

核心参数

参数典型值备注
介电常数(Dk)2.45 ± 0.05 @ 10GHz公差极小,批次一致性好
损耗因子(Df)0.0012 @ 10GHz / 0.0017 @ 20GHz超低介质损耗
Dk 温度系数(TCDk)-120 ppm/°C(-55°C ~ 150°C)宽温范围内电气性能稳定
CTE(X/Y 轴)20 ~ 25 ppm/°C(-55°C ~ 288°C)尺寸稳定性优异
CTE(Z 轴)187 ppm/°C(-55°C ~ 288°C)
导热系数0.30 W/m·K(Z 方向)
体积电阻率6×10⁶ MΩ·cm优异的绝缘性能
表面电阻率1×10⁶ MΩ
击穿强度(Z 方向)> 25 kV/mm
抗剥强度(1oz RTF)> 1.6 N/mm铜箔附着力强
吸水率0.08%(24 小时)极低吸湿性
密度2.22 g/cm³
长期工作温度-55°C ~ +260°C宽温工作范围
阻燃等级UL 94 V-0
PIM(仅 F4BME)-159 dBc优异的无源互调性能

产品核心优势

优异的 PIM 性能(≤-159dBc):得益于反转处理铜箔(RTF 的应用,有效减少信号传输中的非线性失真,是高精度射频系统(如相控阵雷达、卫星通信)的关键保障。

介电常数精确可控(Dk=2.45±0.05):批次一致性好,确保高频信号传输的稳定性和阻抗设计的精准性。

超低介质损耗(Df=0.0012@10GHz):信号衰减极小,显著优于传统 F4B 系列。

优异的温度稳定性(TCDk=-120 ppm/°C):在 -55°C 150°C 宽温范围内性能稳定,适用于严苛环境。

高可靠性:通过 UL 94 V-0 阻燃认证,具备抗辐射、低排气特性,符合航空航天材料规范。

尺寸稳定性优异:X/Y CTE 20-25 ppm/°C,加工和使用过程中不易变形。

国产高性价比:可替代同类进口产品,具备大规模商业化量产能力。


四层结构设计优势

4 层结构相比双面板,提供了更完整的电源/地平面,EMC 性能更优,可实现信号层、电源层、地层的灵活分配,满足中等复杂度射频电路的布线需求。结合 F4BME245 材料本身优异的尺寸稳定性和精细线路加工能力,是高性能射频模块的理想载体。


产品应用领域

F4BME245 凭借优异的 PIM 性能、低损耗和稳定的介电特性,广泛应用于对无源互调有严格要求的射频/微波场景:

相控阵天线与卫星通信:射频馈电网络、航空航天 RF 组件

5G/6G 基站天线:高性能天线、功率分配器、耦合器、合路器

雷达与微波系统:微波雷达、射频前端无源器件(移相器、滤波器)

精密射频测试仪器:高精度 RF 测试设备

高功率射频模块:需电磁屏蔽与散热的场景


产品加工提示

F4BME245 PTFE 基材料,加工需注意:

孔金属化:需进行钠萘溶液处理或等离子活化处理。

钻孔:建议选用硬质合金钻头,控制合适转速与进给量,防止 PTFE 过热熔化。

翘曲控制:薄板(<1mm)加工时需注意操作规范。

 


为什么选择我们Why choose us
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01

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为保障产品质量,鑫成尔从原材料入手,基材上选用生益/建滔等A级军工料,太阳油墨等有名品牌原料,只为让客户满意,放心。

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拥有全自动沉铜除胶渣-图电-蚀刻线,LDI曝光机,文字喷印机等一系列先进生产设备,致力于高精密PCB样板及中小批量的快速生产,公司月出货面积5000余平米,月销售产值800余万元。鑫成尔竭诚为全球高科技企业提供优质的服务。

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我们与鑫成尔合作近两年。他们智能设备多层线路板完全符合我们的质量要求。原合作厂家交期不稳定,大大增加了工作难度。与鑫成尔合作以来,我们合作过程中节省了大量精力,产品深受客户好评,鑫成尔产品的质量让我们放心。

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